onsemi NTMFS5H610NL MOSFET 電源 シングル N チャネル MOSFET – パワー、シングル、N チャネル 60 V、10 m、44 A コンパクトな設計のための小さな設置面積 (5×6 mm) 特長 伝導損失を最小限に抑えるための低 RDS(on) 低 QG および静電容量これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています 最大定格 (特に明記しない限り、TJ = 25°C …
Tag アーカイブ： パワー シングル N チャネル
onsemi NTMFS5H400NL MOSFET 電源 シングル N チャンネル 説明書
onsemi NTMFS5H400NL MOSFET 電源 シングル N チャネル命令 小型設計のための小さな設置面積 (5×6 mm) 伝導損失を最小化するための低 RDS(on) ドライバ損失を最小化するための低 QG および容量 これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています 最大定格(特に指定のない限り、TJ = 25°C) パラメータ 記号 値 単位 ドレイン-ソース間ボリュームtage VDSS 40 V ゲート-ソース間 …
onsemi NTMFS5C612N パワー シングル N チャネル インストラクション
onsemi NTMFS5C612N パワー シングル N チャネルの特長 コンパクトな設計のための小さな設置面積 (5×6 mm) 低 RDS(on) で伝導損失を最小化 低 QG と容量でドライバ損失を最小化 これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS に準拠しています 最大定格 (TJ = 25°C 特に指定のない限り) パラメータ 記号 値 単位 Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V ゲート-ソース間電圧tagVGS …
onsemi NTMFS5C430NL MOSFET 電源 シングル N チャネル 説明書
onsemi NTMFS5C430NL MOSFET 電源 シングル N チャネル MOSFET – パワー、シングル、N チャネル 40 V、1.4 m、200 A コンパクトな設計のための小さな設置面積 (5×6 mm) 特長 伝導損失を最小限に抑えるための低 RDS(on) 低 QG および静電容量これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています。 最大定格 (特に明記しない限り、TJ = 25°C) パラメータ
onsemi NVMFS3D6N10MCLT1G MOSFET パワー シングル N チャネル 説明書
onsemi NVMFS3D6N10MCLT1G MOSFET 電源 シングル N チャネル機能 コンパクトな設計のための小さな設置面積 (5×6 mm) 低 RDS(on) で伝導損失を最小化 低 QG とキャパシタンスでドライバ損失を最小化および PPAP 対応 これらのデバイスは、鉛フリー、ハロゲン フリー/BFR フリーであり、RoHS に準拠しています 最大定格 …
