onsemi STR-NCV7685-REAR-GEVK 評価ボード 警告 このシステムでは個々の LED 電流を変更できますが、大電流設定で複数の LED を連続動作させると、ヒートシンク、PCB、およびデバイスが非常に熱くなります。 適切な環境条件で操作してください。 LEDボードには高効率タイプのパワーLEDが72個搭載されており、LED単体でも非常に明るい…
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onsemi LC709204FXE-N01-GEVB 評価ボード ユーザーマニュアル
onsemi LC709204FXE-N01-GEVB 評価ボード評価キット 評価ボードの選び方 対象デバイスやお使いのバッテリーに合わせて、適切な評価ボードをお選びください。 評価ボード 対象デバイス 電池 タイプ 関連資料 LC709204FXE-N01- GEVB LC709204FXE- 01TBG EC01EC02EC03EC04 LC709204FXE-01-GEVB_SCHEMATIC.pdfLC709204 FX E-01-G EVB_G ERBER.zipLC709204 FXE-01-G EVB_BOM. pdf バッテリープロfile vs レジスタ IC タイプ バッテリ情報 レジスタ タイプ 製品 …
onsemi NCN26010XMNEVK 10BASE-T1S SPE 評価キット ユーザーマニュアル
onsemi NCN26010XMNEVK 10BASE-T1S SPE 評価キット ユーザー マニュアル はじめに NCN26010XMNEVK 10BASE-T1S MACPHY 評価キットは、顧客が onsemi の NCN26010 SPI 対応 10BASE-T1S MACPHY にアクセスできるように設計された PCB のセットです。 その主な目的は、MACPHY の基本機能を実証することであり、顧客が独自に開発できるようにするラボ ツールとしても機能します。
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onsemi FUSB307BGEVB Type-C ポート コントローラ IC 評価ボード ユーザー マニュアル
onsemi FUSB307BGEVB Type-C ポート コントローラ IC 評価ボード ユーザー マニュアル このユーザー ガイドは、FUSB307B の評価キットをサポートしています。 FUSB307B のデータシート、オン セミコンダクターのアプリケーション ノートおよびテクニカル サポート チームと併せて使用してください。 オン・セミコンダクターのサイトをご覧ください webwww.onsemi.com のサイト。 はじめに FUSB307B 評価ボードと付属の…
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onsemi AR0230CS 評価ボード ユーザーマニュアル
onsemi AR0230CS 評価ボード 評価ボード オーバーview 評価ボードは、ON Semiconductor のイメージ センサー製品の機能を実証するように設計されています。 このヘッドボードは、Demo 3 システムに直接差し込むことを目的としています。 ボード上のテスト ポイントとジャンパは、クロック、I/O、およびその他のさまざまな信号へのアクセスを提供します。 図 1. AR0230CS …
onsemi NTMFS5H610NL MOSFET パワーシングル Nチャンネル 取扱説明書
onsemi NTMFS5H610NL MOSFET 電源 シングル N チャネル MOSFET – パワー、シングル、N チャネル 60 V、10 m、44 A コンパクトな設計のための小さな設置面積 (5×6 mm) 特長 伝導損失を最小限に抑えるための低 RDS(on) 低 QG および静電容量これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています 最大定格 (特に明記しない限り、TJ = 25°C …
onsemi NTMFS5C460NL パワーMOSFET 取扱説明書
onsemi NTMFS5C460NL パワー MOSFET パワー MOSFET 40 V、4.5 mΩ、78 A、シングル N チャンネルの特長 コンパクトな設計のための小さなフットプリント (5×6 mm) 伝導損失を最小限に抑えるための低 RDS(on) ドライバの損失を最小限に抑えるための低 QG と静電容量 これらのデバイス鉛フリーであり、RoHS に準拠しています 最大定格 (特に指定のない限り、TJ = 25°C) パラメータ 記号 値 …
onsemi NTMFS5H400NL MOSFET 電源 シングル N チャンネル 説明書
onsemi NTMFS5H400NL MOSFET 電源 シングル N チャネル命令 小型設計のための小さな設置面積 (5×6 mm) 伝導損失を最小化するための低 RDS(on) ドライバ損失を最小化するための低 QG および容量 これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています 最大定格(特に指定のない限り、TJ = 25°C) パラメータ 記号 値 単位 ドレイン-ソース間ボリュームtage VDSS 40 V ゲート-ソース間 …
onsemi NTMFS5C612N パワー シングル N チャネル インストラクション
onsemi NTMFS5C612N パワー シングル N チャネルの特長 コンパクトな設計のための小さな設置面積 (5×6 mm) 低 RDS(on) で伝導損失を最小化 低 QG と容量でドライバ損失を最小化 これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS に準拠しています 最大定格 (TJ = 25°C 特に指定のない限り) パラメータ 記号 値 単位 Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V ゲート-ソース間電圧tagVGS …
onsemi NTMFS5C430NL MOSFET 電源 シングル N チャネル 説明書
onsemi NTMFS5C430NL MOSFET 電源 シングル N チャネル MOSFET – パワー、シングル、N チャネル 40 V、1.4 m、200 A コンパクトな設計のための小さな設置面積 (5×6 mm) 特長 伝導損失を最小限に抑えるための低 RDS(on) 低 QG および静電容量これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています。 最大定格 (特に明記しない限り、TJ = 25°C) パラメータ
