onsemi NTMFS5H610NL MOSFET パワー シングル Nチャンネル
MOSFET – パワー、シングル、
Nチャンネル
60V、10m、44A
機能
- コンパクトな設計のための小さな設置面積 (5×6 mm)
- 低RDS(on)で伝導損失を最小化
- ドライバの損失を最小限に抑えるための低 QG と静電容量
- これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS に準拠しています。
最大評価 (特に指定のない限り、TJ = 25°C)
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シンボル | 値 | ユニット | ||
| ドレインからソースへのボリュームtage | VDSS | 60 | V | ||
| ゲートからソースへのボリュームtage | VGS | ±20 | V | ||
| 連続ドレイン電流 RSJC (Note 1、3) | 定常状態 | TC = 25℃ | ID | 44 | A |
| TC = 100℃ | 28 | ||||
| 消費電力 RSJC (注 1) | TC = 25℃ | PD | 43 | W | |
| TC = 100℃ | 17 | ||||
| 連続ドレイン電流 RSJA (Note 1、2、3) | 定常状態 | TA=25°C | ID | 12 | A |
| TA=100°C | 7.3 | ||||
| 消費電力 RSJA (注 1、2) | TA=25°C | PD | 3.0 | W | |
| TA=100°C | 1.2 | ||||
| パルスドレイン電流 | TA = 25°C、tp = 10 μs | IDM | 222 | A | |
| 動作ジャンクションと保管温度範囲 | TJ、Tstg | − 55 ～
+150 |
℃で | ||
| ソース電流 (ボディ ダイオード) | IS | 36 | A | ||
| シングル パルス ドレイン-ソース間アバランシェ エネルギー (IL(pk) = 2.8 A) | EAS | 175 | mJ | ||
| はんだ付け用リード温度 (ケースから 1/8²、10 秒間) | TL | 260 | ℃で | ||
最大定格の表に記載されているものを超えるストレスは、デバイスを損傷する可能性があります。 これらの制限のいずれかを超えた場合、デバイスの機能は想定されるべきではなく、損傷が発生し、信頼性が影響を受ける可能性があります。
熱抵抗の最大定格
| シンボル | 値 | ユニット | |
| ジャンクションからケースへ - 定常状態 | RSJC | 2.9 | °C / W |
| ジャンクションから周囲へ - 定常状態 (注 2) | RSJA | 42 |
- アプリケーション環境全体が示されている熱抵抗値に影響を与えます。それらは定数ではなく、記載されている特定の条件に対してのみ有効です。
- 4 mm650、2 オンスを使用して FR2 基板に表面実装。 キューパッド。
- 1 秒のパルスの最大電流はより高くなりますが、パルス持続時間とデューティ サイクルに依存します。
| V(BR)DSS | RDS（ON） MAX | ID MAX |
| 60 V | 10mΩ@10V | 44 |
| 13mΩ@4.5V |
N-チャンネルMOSFET
5H610L = 特定のデバイス コード
A = 組立場所
Y =年
W = 勤務週
ZZ = ロットトレーサビリティ
注文情報
このデータ シートの 5 ページにあるパッケージ寸法のセクションで、注文、マーキング、出荷に関する詳細な情報を参照してください。
電気的特性 (特に指定のない限り、TJ = 25°C)
| シンボル | 試験条件 | ミン | タイプ | マックス | ユニット |
オフ特性
| ドレインからソースへのブレークダウン ボリュームtage | V(BR)DSS | VGS = 0V、ID = 250μA | 60 | V | |||
| ドレインからソースへのブレークダウン ボリュームtage温度係数 | V(BR)DSS/TJ | 39.2 | mV /°C | ||||
| ゼロゲート巻tage ドレイン電流 | IDSS | VGS=0V、VDS=60V | TJ = 25 ℃ | 10 |
μA |
||
| TJ＝125℃ | 250 | ||||||
| ゲートからソースへの漏れ電流 | IGSS | VDS=0V、VGS=20V | 100 | nA | |||
特徴について （注4）
| ゲート閾値Voltage | VGS(タイ) | VGS = VDS、ID = 40µA | 1.2 | 2.0 | V | ||
| しきい温度係数 | VGS(TH)/TJ | -5.0 | mV /°C | ||||
| ドレイン-ソース間のオン抵抗 | RDS(オン) | VGS=10V | ID=8A | 8.0 | 10 |
mQ |
|
| VGS=4.5V | ID=7A | 10.5 | 13 | ||||
電荷、静電容量、ゲート抵抗
| 入力容量 | CISS | VGS=0V、f=1MHz、VDS=30V | 880 |
pF |
||
| 出力容量 | COSS | 150 | ||||
| 逆転送容量 | CRSS | 6.0 | ||||
| 出力電荷 | コスス | VGS=0V、VDD=30V | 12 |
nC |
||
| 総ゲートチャージ | QG(TOT) | VGS = 10V、VDS = 30V; ID=8A | 13.7 | |||
| 総ゲートチャージ | QG(TOT) | VGS = 4.5 V、VDS = 30 V; ID=8A | 6.4 | |||
| スレッショルド ゲート チャージ | QG(タイ) | 1.6 | ||||
| ゲートからソースへの電荷 | QGS | 2.6 | ||||
| ゲートからドレインへの電荷 | QGD | 1.3 | ||||
| プラトーボリュームtage | VGP | 2.6 | V |
スイッチング特性 （注5）
| ターンオン遅延時間 | td(オン) | VGS=4.5V、VDS=30V、ID=8A、RG=2.5Q | 9.5 |
ns |
||
| 立ち上がり時間 | tr | 23 | ||||
| ターンオフ遅延時間 | td(オフ) | 22 | ||||
| 立ち下がり時間 | tf | 6 |
ドレイン・ソース・ダイオード特性
| フォワード・ダイオード・ボリュームtage | VSD | VGS=0V、IS=8A | TJ＝25℃ | 0.8 | 1.2 |
V |
|
| TJ＝125℃ | 0.65 | ||||||
| 逆回復時間 | tRR | VGS = 0 V、dIS/dt = 100 A/µs、IS = 4 A | 24 |
ns |
|||
| 充電時 | ta | 15 | |||||
| 放電時間 | tb | 9 | |||||
| 逆回復チャージ | QRR | 17 | nC | ||||
特に明記されていない限り、製品のパラメトリック性能は、リストされたテスト条件の電気的特性に示されています。 製品
異なる条件下で動作させると、電気的特性によって性能が示されない場合があります。
4. パルス テスト: パルス幅 300 秒、デューティ サイクル 2%。
5. スイッチング特性は動作接合部温度とは無関係です。
代表的な特性
図 1. オン領域の特性
図2.伝達特性
図 3. オン抵抗 vs. ゲートからソースへのボリュームtage
図 4. オン抵抗対ドレイン電流およびゲート ボリュームtage
図 5. 温度によるオン抵抗の変化
図 6. ドレインからソースへのリーク電流対 Voltage
図 7. 静電容量の変動
図 8. ゲートからソースへのボリュームtage 対総料金
図 9. 抵抗スイッチング時間の変動対ゲート抵抗
図 10. ダイオード順電圧tage対電流
図 11.最大定格順方向バイアス安全動作領域
図 12. IPEAK 対雪崩の時間
図 13.熱特性
デバイスの注文情報
| デバイス | マーキング | パッケージ | 配送ポリシー† |
| NTMFS5H610NLT1G | 5H610L | DFN5 (鉛フリー) | 1500 /テープ＆リール |
†部品の向きやテープのサイズなど、テープとリールの仕様については、テープとリールのパッケージ仕様パンフレット、BRD8011/D を参照してください。
機械的なケースの概要
外形寸法
注：
- ASME Y14.5M、1994年あたりの寸法と公差。
- 制御寸法：ミリメートル。
- 寸法 D1 および E1 には、モールドのバリの突出部またはゲートのバリは含まれません
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DIM |
ミリメートル |
||
| MIN | NOM | MAX | |
| A | 0.90 | 1.00 | 1.10 |
| A1 | 0.00 | −−− | 0.05 |
| b | 0.33 | 0.41 | 0.51 |
| c | 0.23 | 0.28 | 0.33 |
| D | 5.00 | 5.15 | 5.30 |
| D1 | 4.70 | 4.90 | 5.10 |
| D2 | 3.80 | 4.00 | 4.20 |
| E | 6.00 | 6.15 | 6.30 |
| E1 | 5.70 | 5.90 | 6.10 |
| E2 | 3.45 | 3.65 | 3.85 |
| e |
1.27 BSC |
||
| G | 0.51 | 0.575 | 0.71 |
| K | 1.20 | 1.35 | 1.50 |
| L | 0.51 | 0.575 | 0.71 |
| L1 |
0.125 基準 |
||
| M | 3.00 | 3.40 | 3.80 |
| 9 | 0 0 | −−− | 12 0 |
一般的なマーキング図*
XXXXXX = 特定のデバイス コード
A =組み立て場所
Y =年
W =稼働週
ZZ = ロットトレーサビリティ
*この情報は一般的なものです。 実際の部品のマーキングについては、デバイス データ シートを参照してください。 鉛フリーインジケータ「G」またはマイクロドット「 」は、存在する場合と存在しない場合があります。 一部の製品はジェネリック マーキングに従っていない場合があります。
| 書類番号： | 98AON14036D | 電子バージョンは、ドキュメントリポジトリから直接アクセスする場合を除いて制御されません。 印刷版は、stの場合を除いて管理されていませんamped「CONTROLLEDCOPY」を赤で。 | |
| 説明： | DFN5 5×6、1.27P（SO−8FL） | 1/1ページ | |
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オンセミ、、 
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ドキュメント/リソース
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onsemi NTMFS5H610NL MOSFET パワー シングル Nチャンネル [pdf]取扱説明書 NTMFS5H610NL MOSFET 電源 シングル N チャネル、NTMFS5H610NL、MOSFET 電源 シングル N チャネル、電源 シングル N チャネル、シングル N チャネル、N チャネル、チャネル |
