onsemi NTMFS5C612N パワー シングル N チャンネル
機能
- コンパクトな設計のための小さな設置面積 (5×6 mm)
- 低RDS(on)で伝導損失を最小化
- ドライバの損失を最小限に抑えるための低 QG と静電容量
- これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS に準拠しています。
最大評価
(特に指定のない限り、TJ = 25°C)
| シンボル | 値 | ユニット | |||
| ドレインからソースへのボリュームtage | VDSS | 60 | V | ||
| ゲートからソースへのボリュームtage | VGS | ±20 | V | ||
| 連続ドレイン電流 RSJC (Note 1、3) |
定常状態 |
TC = 25℃ | ID | 230 | A |
| TC = 100℃ | 160 | ||||
| 消費電力 RSJC (注 1) | TC = 25℃ | PD | 170 | W | |
| TC = 100℃ | 84 | ||||
| 連続ドレイン電流 RSJA (Note 1、2、3) |
定常状態 |
TA=25°C | ID | 35 | A |
| TA=100°C | 25 | ||||
| 消費電力 RSJA (注 1、2) | TA=25°C | PD | 3.8 | W | |
| TA=100°C | 1.9 | ||||
| パルスドレイン電流 | TA = 25°C、tp = 10 μs | IDM | 900 | A | |
| 動作ジャンクションと保管温度 | TJ、Tstg | − 55 ～
+175 |
℃で | ||
| ソース電流 (ボディ ダイオード) | IS | 190 | A | ||
| シングル パルス ドレイン-ソース間アバランシェ エネルギー (IL(pk) = 17 A) | EAS | 451 | mJ | ||
| はんだ付け用リード温度 (ケースから 1/8²、10 秒間) | TL | 260 | ℃で | ||
最大定格の表に記載されているものを超えるストレスは、デバイスを損傷する可能性があります。 これらの制限のいずれかを超えた場合、デバイスの機能は想定されるべきではなく、損傷が発生し、信頼性が影響を受ける可能性があります。
熱抵抗の最大定格
| シンボル | 値 | ユニット | |
| ジャンクションからケースへ - 定常状態 | RSJC | 0.9 | °C / W |
| ジャンクションから周囲へ - 定常状態 (注 2) | RSJA | 39 |
- アプリケーション環境全体が示されている熱抵抗値に影響を与えます。それらは定数ではなく、記載されている特定の条件に対してのみ有効です。
- 4 mm650、2 オンスを使用して FR2 基板に表面実装。 キューパッド。
- 1 秒のパルスの最大電流はより高くなりますが、パルス持続時間とデューティ サイクルに依存します。
V(BR)DSS RDS（ON） MAX ID MAX 60 V 1.6 mQ @ 10 V 230
N-チャンネルMOSFET
DFN5 (SO-8FL) ケース 488AA スタイル 1
マーキング図
- 5C612N = 特定のデバイス コード
- A= 組立場所
- Y = 年
- W= ワークウィーク
- ZZ = ロットトレーサビリティ
電気的特性
(特に指定のない限り、TJ = 25°C)
| シンボル | 試験条件 | ミン | タイプ | マックス | ユニット |
オフ特性
| ドレインからソースへのブレークダウン ボリュームtage | V(BR)DSS | VGS = 0V、ID = 250μA | 60 | V | |||
| ドレインからソースへのブレークダウン ボリュームtage温度係数 | V(BR)DSS/TJ | 12.8 | mV /°C | ||||
| ゼロゲート巻tage ドレイン電流 | IDSS | VGS=0V、VDS=60V | TJ＝25℃ | 10 |
μA |
||
| TJ＝125℃ | 250 | ||||||
| ゲートからソースへの漏れ電流 | IGSS | VDS=0V、VGS=20V | 100 | nA | |||
特性について（注4）
| ゲート閾値Voltage | VGS(タイ) | VGS = VDS、ID = 250µA | 2.0 | 4.0 | V | ||
| しきい温度係数 | VGS(TH)/TJ | -9.4 | mV /°C | ||||
| ドレイン-ソース間のオン抵抗 | RDS(オン) | VGS=10V | ID=50A | 1.4 | 1.6 | mQ | |
電荷、静電容量、ゲート抵抗
| 入力容量 | CISS |
VGS=0V、f=1MHz、VDS=25V |
4830 |
pF |
||
| 出力容量 | COSS | 3180 | ||||
| 逆転送容量 | CRSS | 22 | ||||
| 総ゲートチャージ | QG(TOT) |
VGS = 10V、VDS = 48V; ID=50A |
60.2 |
nC |
||
| スレッショルド ゲート チャージ | QG(タイ) | 14.2 | ||||
| ゲートからソースへの電荷 | QGS | 23.3 | ||||
| ゲートからドレインへの電荷 | QGD | 6.3 | ||||
| プラトーボリュームtage | VGP | 4.9 | V |
スイッチング特性 (Note 5)
| ターンオン遅延時間 | td(オン) |
VGS=10V、VDS=48V、ID=50A、RG=2.5Q |
14.2 |
ns |
||
| 立ち上がり時間 | tr | 46.9 | ||||
| ターンオフ遅延時間 | td(オフ) | 38.9 | ||||
| 立ち下がり時間 | tf | 11.9 |
ドレイン・ソース・ダイオード特性
| フォワード・ダイオード・ボリュームtage | VSD | VGS=0V、IS=50A | TJ＝25℃ | 0.81 | 1.0 |
V |
|
| TJ＝125℃ | 0.67 | ||||||
| 逆回復時間 | tRR |
VGS = 0 V、dIS/dt = 100 A/µs、IS = 50 A |
82.4 |
ns |
|||
| 充電時 | ta | 40.8 | |||||
| 放電時間 | tb | 41.6 | |||||
| 逆回復チャージ | QRR | 139 | nC | ||||
特に明記されていない限り、製品のパラメトリック性能は、リストされたテスト条件の電気的特性に示されています。 製品
異なる条件下で動作させると、電気的特性によって性能が示されない場合があります。
- パルス テスト: パルス幅 300 秒、デューティ サイクル 2%。
- スイッチング特性は動作接合部温度とは無関係です。
代表的な特性
デバイスの注文情報
| デバイス | マーキング | パッケージ | 配送ポリシー† |
| NTMFS5C612NT1G | 5C612N | DFN5
(鉛フリー) |
1500 /テープ＆リール |
部品の向きやテープのサイズなど、テープとリールの仕様については、テープとリールのパッケージを参照してください。
仕様パンフレット、BRD8011/D。
外形寸法
当社の鉛フリー戦略とはんだ付けの詳細については、オン セミコンダクターのはんだ付けおよび取り付け技術リファレンス マニュアル、SOLDERRM/D をダウンロードしてください。
注：
- ASME Y14.5M、1994年あたりの寸法と公差。
- 制御寸法：ミリメートル。
- 寸法 D1 および E1 には、モールドのバリの突出部またはゲートのバリは含まれません。
DIM
ミリメートル MIN NOM MAX A 0.90 1.00 1.10 A1 0.00 −−− 0.05 b 0.33 0.41 0.51 c 0.23 0.28 0.33 D 5.00 5.15 5.30 D1 4.70 4.90 5.10 D2 3.80 4.00 4.20 E 6.00 6.15 6.30 E1 5.70 5.90 6.10 E2 3.45 3.65 3.85 e 1.27 BSC G 0.51 0.575 0.71 K 1.20 1.35 1.50 L 0.51 0.575 0.71 L1 0.125 基準 M 3.00 3.40 3.80 9 0 0 −−− 12 0
一般的なマーキング図*
- XXXXXX = 特定のデバイス コード
- A= 組立場所
- Y = 年
- W= ワークウィーク
- ZZ = ロットトレーサビリティ
この情報は一般的なものです。 実際の部品のマーキングについては、デバイス データ シートを参照してください。 鉛フリーインジケータ「G」またはマイクロドット「 」は、存在する場合と存在しない場合があります。 一部の製品はジェネリック マーキングに従っていない場合があります。
会社概要
ON Semiconductor および米国および/またはその他の国における Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor またはその子会社の商標です。 オン・セミコンダクターは、ここに記載されている製品を予告なしに変更する権利を留保します。 オン・セミコンダクターは、特定の目的に対する自社製品の適合性に関する保証、表明、または保証を一切行いません。また、オン・セミコンダクターは、製品または回路の適用または使用から生じるいかなる責任も負いません。特別な、結果的または偶発的な損害の制限。 オン・セミコンダクターは、自社の特許権または他者の権利に基づくライセンスを譲渡しません。
onsemi、およびその他の名前、マーク、およびブランドは、Semiconductor Components Industries、LLCのdba“ onsemi”またはその関連会社および/または米国および/またはその他の国の子会社の登録商標および/またはコモンロー商標です。 onsemiは、多数の特許、商標、著作権、企業秘密、およびその他の知的財産に対する権利を所有しています。 オン・セミコンダクターの製品/特許カバレッジのリストは、次のURLでアクセスできます。 www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. onsemi は、ここに記載されている製品または情報を予告なしにいつでも変更する権利を留保します。 ここに記載されている情報は「現状のまま」提供されており、onsemi は、情報の正確性、製品の特徴、入手可能性、機能性、または特定の目的に対する製品の適合性に関して、いかなる保証、表明、または保証も行いません。製品または回路のアプリケーションまたは使用から除外され、特別、結果的、または偶発的な損害を含むがこれらに限定されない、すべての責任を明示的に否認します。 購入者は、onsemi が提供するサポートまたはアプリケーション情報に関係なく、onsemi 製品を使用する製品およびアプリケーションについて責任を負います。これには、すべての法律、規制、および安全要件または基準への準拠が含まれます。 onsemi のデータ シートや仕様に記載されている「典型的な」パラメータは、アプリケーションによって異なる可能性があり、実際の性能は時間の経過とともに変化する可能性があります。 「標準」を含むすべての動作パラメータは、お客様の技術専門家によってお客様のアプリケーションごとに検証される必要があります。 onsemi は、その知的財産権または他者の権利の下で、いかなるライセンスも譲渡しません。 onsemi 製品は、生命維持装置、FDA クラス 3 医療機器、外国の法域で同じまたは類似の分類を持つ医療機器、または人体への埋め込みを目的とした機器の重要なコンポーネントとして使用するように設計、意図、または認可されていません。 . 買い手が意図しないまたは無許可のアプリケーションのために onsemi 製品を購入または使用した場合、買い手は、onsemi およびその役員、従業員、子会社、関連会社、および販売業者を補償し、発生するすべての請求、費用、損害、費用、および合理的な弁護士費用に対して無害に保つものとします。オンセミが部品の設計または製造に関して過失があったと主張する場合でも、直接または間接的に、そのような意図しないまたは無許可の使用に関連する人身傷害または死亡の請求から除外されます。 onsemi は、機会均等/アファーマティブ アクションの雇用主です。 この資料は、適用されるすべての著作権法の対象であり、いかなる方法でも再販することはできません。
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ドキュメント/リソース
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